铜在钽表面上粘附性的初步模拟研究.rar

集成电路已进人超深亚微米时代，体硅CMOS的批量生产已采用90 nm工艺、300 mm晶圆；更先进的32nm工艺也已量产化；集成电路的发展仍以继续追求高频、高速、高集成度、多功能、低功耗为...

分类：信息技术 | 字数：23071 | 上传日期：2014-07-01

铜在钌表面上粘附性的初步模拟研究.doc

为了解决信号的传输延迟问题，人们在多方面进行了尝试。在集成电路制造技术方面不断采用新材料取代传统材料。一方面，可通过采用低介电常数（low–k）的层间介质（interlevel diel...

分类：信息技术 | 字数：17934 | 上传日期：2014-06-27

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