纳米级MOSFET逻辑门电路的漏电功耗计算.docx

从功耗来源入手研究，无疑是对于功耗分析最为有效的办法和手段。根据COMS电路的物理结构和工作状态，CMOS电路的功耗可分为两大部分：动态功耗（包括开关功耗、短路功耗）、静态功...

分类：论文综述 | 字数：13057 | 上传日期：2018-09-18

纳米双栅MOSFET电学特性研究_微电子学.rar

如图1.5所示，在0.13μm技术节点，己经开始采用硅化物技术，在90—65—45nm技术节点上，应变硅技术和超浅结技术已经开始投入使用，到45—32nm节点上，已成功地研制了高介电常数(high-k...

分类：论文选题 | 字数：17233 | 上传日期：2014-10-09

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