摘要:随着现代半导体制造工艺的发展，CMOS的沟道长度和器件间距不断减小，随之出现了严重的工艺变化和信号耦合效应。在本文中，我们将解释耦合效应是如何影响灵敏放大器的功能，然后我们将介绍一种耦合抑制放大器。在我们的设计中，我们调整了时间控制。耦合信号被分类并被不同的启动电流抑制。新的架构在差分输入下可以实现显著的改善。面积和速度成本可以忽略。通过我们的工作，我们推荐我们的灵敏放大器的设计，也请注意其他电路的耦合效应。
关键词：灵敏放大器；SRAM
目录
摘要
Abstract
第一章绪论-3
1.1 研究背景及意义-3
1.2研究内容-6
1.3 本章小结-7
第二章 传统灵敏放大器及耦合效应-8
2.1 传统灵敏放大器介绍-8
2.2灵敏放大器的耦合分析-9
2.3本章小结-11
第三章 灵敏放大器中的耦合抑制-12
3.1 耦合抑制灵敏放大器-12
3.2新、旧设计的对比-12
3.3 本章小结-14
第四章 电路的搭建与仿真-15
4.1 反相器参数设置-15
4.2传统灵敏放大器仿真-16
4.3耦合抑制灵敏放大器仿真-20
4.4 本章小结-24
第五章 总结-25
参考文献-26
致谢-27
