摘要: 薄膜晶体管（TFT）是显示器中的重要器件，对显示器的显示性能有直接的关联，而薄膜晶体管的自身性能又与它的制作材料有很大的关系。金属氧化物材料一直是这几年的热门研究方向，特别是以铟镓锌氧化物（IGZO）为代表，因其较高的迁移率，工艺简单，容易进行大规模制造和较低的成本等特点，逐渐占领市场。研究人员在考察有机和复合型TFT的同时，也在发掘其他的高性能金属氧化物材料。本文将以铟掺锡氧化物（ITO）薄膜晶体管为研究对象，对该材料的TFT进行输出特性和重点转移特性的测试和汇总。并将与现在的市场热门材料比较，查看ITO TFT是否具有替代现有材料，推广到相关市场的可能性。
关键词：薄膜晶体管（TFT）；铟镓锌氧化物（IGZO）；铟掺锡氧化物（ITO）
目录
摘要
Abstract
第1章 绪论-2
1.1 当前市场现状：-2
1.2 金属氧化物材料主流：铟镓锌氧化物TFT当前发展情况-3
1.3 对铟掺锡氧化物材料的探索研究-4
第2章 器件特点及做法-4
2.1 器件特点-4
2.2 器件做法-5
第3章 电流特性-6
3.1 ITO TFT器件的转移、输出特性-6
3.1.1 阈值电压-6
3.1.2 迁移率-7
3.1.3 亚阈值摆幅-8
3.1.4 输出特性：-9
3.2 重复测量影响-9
3.3 泄漏电流-11
3.4 双栅薄膜晶体管的优化-13
第4章 总结-15
参考文献-15
致谢-16
