退火对溶胶凝胶法制备AZO薄膜的性能影响.rar

ZnO薄膜可以在低于500℃温度下获得，较GaN，SiC和其它Ⅱ-Ⅵ族半导体宽禁带材料的制备温度低得多。此外，由于高质量的ZnO的块体材料和单晶比较容易制备，且ZnO的晶体生长、制备工艺更...

分类：信息技术 | 字数：18950 | 上传日期：2014-07-01

掺杂对溶胶凝胶法制备AZO薄膜的性能影响.rar

在室温下，通过直流磁控溅射沉积或相关的沉积技术得到的ATO，其电导率已经降低，但是在空气中，经过高于350度的退火后，其电导率得到了很大的改善。基于这个原因，目前研究的方...

分类：信息技术 | 字数：16198 | 上传日期：2014-07-01

虽然人们采用了各种方法来制备BiFeO3材料，期望得到纯相的样品以研究其各种性能。但是结果不十分令人满意，由于动力学的原因，BiFeO3中总是有少量的杂相生成。而溶胶-凝胶法可以使...

分类：信息技术 | 字数：10135 | 上传日期：2014-06-30

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