摘要: 在此毕业设计中制作了金属-绝缘体-半导体（MIS）结构Al/MoO3/p-InP，并确认了金属-绝缘体-半导体（MIS）结构能够增强肖特基势垒高度（SBH）。还测试了该MIS结构在温度范围为310K到390K的I-V特性曲线。计算得到有效理查森常数=60.38826Acm−2K−2，接近其理论值60Acm−2K−2。当温度T升高时零偏压肖特基势垒高度升高，而平带势垒高度和理想因子n则降低，符合势垒高度高斯分布模型。通过画出零偏压势垒高度和理想因子n的关系求出肖特基势垒高度的均匀值为1.57859V。为了研究肖特基势垒不均，算出了零偏压均值势垒高度=1.27171V和零偏压标准差=159.69mV，得到了对应于肖特基势垒高度的电压变形分布的偏压系数为-0.43271V和为-0.00844V。另外平带势垒随着温度T的降低而缓慢升高，温度系数的值=6.14356*10-4。并且还算出了空穴隧穿系数=11.94977。
关键词：肖特基势垒高度，高斯分布，MIS结构，界面绝缘层
目录
中文摘要
Abstract
第一章 序 言-3
1.1. 课题研究背景及其意义-3
1.2. 毕业设计工作内容-4
第二章 MIS结构的制作-6
第三章 数据处理及讨论-8
3.1. I-V特性及其理论公式-8
3.2. 零偏压势垒高度和理想因子-9
3.3. 关于势垒分布的不均匀的参数分析-12
3.4. 平带肖特基势垒高度-14
第四章 总结-17
参考文献-18
致谢-20
