金属，绝缘体，InP结电学特性研究.docx

最终在晶圆上保留的是特征图形部分。而剥离的微结构技术是使用光刻胶在晶圆的表面上创造结构的方法。它是一种加法技术，而不是传统的诸如刻蚀的减法技术，创造的结构的规模可...

分类：论文综述 | 字数：8024 | 上传日期：2018-09-16

纳米双栅MOSFET电学特性研究_微电子学.rar

如图1.5所示，在0.13μm技术节点，己经开始采用硅化物技术，在90—65—45nm技术节点上，应变硅技术和超浅结技术已经开始投入使用，到45—32nm节点上，已成功地研制了高介电常数(high-k...

分类：论文选题 | 字数：17233 | 上传日期：2014-10-09

GaN是一种极性晶体，其化学键主要是共价键，由于构成共价键的两种组分在电负性上有较大的差别，导致在该化合物键中有相当大的离子键成分，这是GaN具有许多独特物理性质的根源。...

分类：论文选题 | 字数：13555 | 上传日期：2014-10-09

提出了两种科学思维方法帮助学生提高学习和掌握概念的能力。借鉴国内外电学研究的方法和题型，设计了能够了解学生掌握基本电学概念现状的问卷，并通过调查问卷和实际临床访谈...

分类：初中教育 | 字数：21223 | 上传日期：2013-07-09

随着Ca含量的增加与Zr含量的减少，xBaTiO3-yCaTiO3-(1-x-y)BaZrO3陶瓷的居里温度逐渐升高，但总体偏低（未超过120℃）。随着极化电场的升高，xBaTiO3-yCaTiO3-(1-x-y)BaZrO3陶瓷的压电性能随之升高。...

分类：文献综述 | 字数：12900 | 上传日期：2013-07-05

陶瓷样品的致密度随烧结温度的升高而增大，并且在烧结温度为1460℃时达到最大值，为97.42%，继续升高温度，陶瓷的致密度下降，但在1500℃时仍然有91.93%。BCZT陶瓷的室温介...

分类：文献综述 | 字数：15126 | 上传日期：2013-07-04

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