摘要:近年来，紫外探测技术在告警与制导、火焰探测以及生化基因检测等领域广泛运用，因而，高性能紫外探测器的研究得到了全球的广泛关注．氮化镓是直接宽禁带半导体化合物，具有优越的物理化学特性，是制备“日盲”型和“可见光盲”型紫外光电探测器的理想材料．氮化镓p-i-n结构的紫外探测器具有响应速度快、漏电流小以及工艺相对成熟等优点，逐渐成为紫外探测器研究的重点之一．
本论文主要研究氮化镓p-i-n型紫外探测器的变温电流特性．首先，介绍了氮化镓p-i-n型紫外探测器的研究背景和国内外研究现状；然后，讨论了氮化镓p-i-n型探测器的工作原理、器件结构和制造工艺流程；最后，介绍了实验测试系统和变温电流测试方法，分析了室温下器件的I-V特性，并且利用不同温度下的正向I-V特性，通过线性拟合的方法得到了器件的理想因子；分析不同温度下的反向I-V特性，建立载流子运动机制模型，并通过计算得到了激活能．另外，本论文还测量了器件的C-V特性、G-V特性以及C-F特性．
关键词：氮化镓；紫外探测器；变温电流特性
目录
摘要
ABSTRACT
第1章 绪论-1
1.1 III族氮化物的性质-1
1.2 氮化镓紫外探测器的应用背景-3
1.3 氮化镓p-i-n型紫外探测器的研究进展-5
1.4本论文的研究内容-5
第2章 器件原理及工艺制备-7
2.1 p-i-n型探测器基本原理及结构-7
2.1.1 基本原理-7
2.1.2 器件参数-7
2.2 器件结构-8
2.3 器件制备与工艺流程-10
2.4 本章小结-12
第3章 氮化镓p-i-n型紫外探测器的电学性能测试与分析-13
3.1 实验测试系统-13
3.2 电流特性测试结果分析-14
3.2.1 室温下的I-V特性-14
3.2.2 变温正向I-V特性-15
3.2.3 变温反向I-V特性-17
3.3电容特性测试结果分析-19
3.3.1 C-V特性-19
3.3.2 G-V特性-20
3.3.3 C-F特性-20
3.4 本章小结-21
第４章 论文结论与展望-23
参考文献-25
致 谢-27
