单片机采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存取存储器RAM、只读存储器ROM、可编程存储器EPROM、并行及串行输入输出I/O接口电路、定时器/计数器、中断...

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可以看出薄膜电池的发展速度已经超过了晶体硅电池的发展速度。这是由于晶体硅电池的成本受到硅材料的限制，成本降低的空间有限; 薄膜电池由于转换效率低且易受到光致衰减效应（...

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通常情况下，用电感耦合等离子体制备的薄膜，其薄膜结构可以随工艺参数而改变.不同的工艺条件对等离子体的组成影响程度不同，这使得薄膜原子的键和形式不同，从而可以形成不同...

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尽管现在以微机为核心的可编程数据采集与处理采集技术的发展方向得到了迅速的发展，而且组成一个数据采集系统只需要一块数据采集卡，把它插在微机的扩展槽内并辅以应用软件，...

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本论文用并五苯做为有源层进行仿真，本论文首先根据单栅的有机薄膜以改善结构的方法提高其性能，因此模拟了双栅结构的有机薄膜晶体管晶体管的性能，探讨了界面效应对其电流电...

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目前，在字符识别研究中使用最广泛的是光学字符识别，即OCR方法．其统计模式识别方法注重数量特征，便于特征提取、分析和计算．但是，它将字符看成一种随机的二维点阵，没有考...

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如图1.5所示，在0.13μm技术节点，己经开始采用硅化物技术，在90—65—45nm技术节点上，应变硅技术和超浅结技术已经开始投入使用，到45—32nm节点上，已成功地研制了高介电常数(high-k...

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通信的目的是通过信道快速有效、安全准确地传输信息．为了充分利用信道容量，满足用户的不同需求，通信信号采用了不同的调制制式．随着电子技术的快速发展，以及用户对信息传...

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为了解决利用图像采集并识别的方法在手势动作识别装置中的应用所带来的局限性，利用三维加速度传感器进行手势动作识别的方法被提出来了.微型化、功耗低的电子器件技术不断得到...

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目前高品质的蓝宝石单晶生长技术全球仅美国、俄罗斯、乌克兰和日本等少数公司能够生产，而且生产大尺寸蓝宝石晶体技术也一直受俄罗斯和欧美等企业垄断。国内军用大尺寸的蓝宝...

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本论文中，通过使用Sentaurus TCAD仿真工具对ESD保护器件进行仿真，能够找出ESD现象的各个阶段器件内部的电场分布、电流密度及流向、温度分布以及其他相关物里参量的变化，分析ESD器件...

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单片微型计算机的功能不断的增强，为先进的控制算法提供了载体，许多高性能的新型机种应运而生.单片机以其功能强、体积小、可靠性高、造价低和开发周期短等优点，成为自动化领...

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图1-1表明了并行通信是指一组数据在多条数据线上被同时传送，其特点是各数据位位同时传送，传送速度快、效率高，可见并行通信只适用于短距离且速度要求高的场合，且多条数据线...

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SPI是一种同步串行通讯方式，是一种三线同步总线，它是一种常用的标准接口，由于其使用简单方便且节省系统资源，很多芯片都支持该接口，SPI接口主要应用在EEPROM，FLASH，实时时钟，...

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与加工技术的高速发展成鲜明对照，设计发展的速度却是相对落后.基于IP核重用技术的使用能够使SoC芯片设计的时间大大的缩短，降低了设计和制造成本，提高了可靠性，将会给电子工...

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一些国家已不仅仅满足于控制方面自动化，已开始朝着完全自动化方向研究．近年来，对问题的智能控制方法，外国专家已经做出了大量的研究，特别是在温室环境控制系统，更是将专...

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学生宿舍建设和管理的格局日趋多样化，安全管理工作难度也越来越大，学生宿舍成为学校安全事故的多发地段并成为学校安全管理工作的重点和难点，仅仅根据传统的人工管理方式很...

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无线传感器网络十分适合部署在环境恶劣或者靠人力监测困难的区域，节点位置可以遭受风吹、日晒、雨淋或者自有变动之后，仍能正常采集数据。由于监测环境的限制和节点数量庞大...

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随着手提设备低电源需求的不断增加，设计低压工作的电压基准源成为当前基准源研究的热点。虽然采用特殊器件和工艺技术可得到低电源电压带隙基准电路，但是与标准CMOS工艺技术不...

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目前，外资研发对物联网的应用主要是在美国，欧洲，日本，韩国和其他一些国家及地区，研究方向主要集中在条码技术在零售商业的应用和物流领域。随着传感器技术、计算机技术的...

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近几年，SRAM的密度和性能，由于集成电路设计和制造水平的不断提高都得到明显的改善。如今，存储大小为4MB，甚至到64MB的亚微米尺寸的异步SRAM在国际上都已经得以成功实现并发...

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GaN晶体具有三种结构：六角纤锌矿2H型结构(α相)、立方闪锌矿3C型结构(β相)和岩盐矿结构[1]．纤锌矿型结构具有六方对称性，在常温常压下热力学性质很稳定，是GaN中常见的结晶形式，...

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传统的电子元件对静电放电的能量的敏感度较低，人们通常不易觉察，但功率集成电路元件则可能在静电电场和ESD电流下形成失效，严重时，则出现“软击穿”现象，软击穿会使设备的...

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CPU是电子信息产品的核心，是半导体产业技术最密集、最具战略价值的产品，也是一个国家技术实力的象征.基于安全与市场利益的考虑，欧美、日、韩等集成电路强国一直致力于本国...

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现在制约太阳能电池发展的两个关键问题是降低成本和提高转换效率．降低成本是工业生产中所主要考虑的问题，因此本文不谈论降低成本的相关问题．在实验室中，研究人员致力于提...

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在LDO发展的初期，其调整管往往是采用的双极型晶体管，这样会使得电路的功耗较高，而且压降电压（Dropout）很大，很大程度上缩短了电子产品的供电时间。通过反复的实践和验证，由...

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GaN是一种极性晶体，其化学键主要是共价键，由于构成共价键的两种组分在电负性上有较大的差别，导致在该化合物键中有相当大的离子键成分，这是GaN具有许多独特物理性质的根源。...

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III族氮化物具有三种不同的晶体结构，它们分别是：纤锌矿(六方相)、闪锌矿(立方相)和岩盐矿(立方相)．纤锌矿和闪锌矿结构基本相似，每个(V)族原子都和最近的4个V(III)族共同构成四面...

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SOI也称为绝缘体上硅，就是指具有在一绝缘衬底上再生长一层单晶硅薄膜，或者是单晶硅薄膜被一绝缘层(通常是二氧化硅)从支撑的硅衬底中分开的这样结构的材料。SOI结构有效抑制了体...

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在开发红、黄光高亮度LED的同时，也在竭尽全力地开发重要的蓝光LED。为了实现蓝光LED，必须选择禁带宽度在2.5-2.9eV的半导体材料（宽禁带半导体：SiC、ZnSe、GaN等）。为了使这样的半导...

资料包含：完整论文 所需金币：1000 文档字数：15116 上传者：21克拉 更新日期：2014-10-09