摘要:在功率集成电路（IC）产品的失效中，静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）所引起IC失效的现象已得到广泛关注。随着芯片规模的不断的缩小和新的半导体制造工艺的引入，以及高压、大电流、强的电磁干扰、频繁的插拔、高低温恶劣的IC产品工作环境，功率IC产品的可靠性问题日益突出，功率IC的高压ESD防护设计面临的挑战越来越大．
本论文首先阐述了ESD的产生及ESD防护设计背景，讨论并分析了ESD的工业模型，以及IC产品中广泛使用的ESD可靠性测试方法及其失效判断标准，接着简述了LDMOS和SCR两种基本ESD防护器件的工作原理．
最后通过用TCAD仿真软件对LDMOS和SCR器件进行仿真与优化，并对SCR器件进行了深入探讨，提出了一种可应用于高压ESD防护的通过浮空N阱增加SCR中的基区宽度的方法，相比于传统的增加横向基区宽度的方法，优化的SCR器件可以从纵向上增加基区宽度，提高了芯片面积利用率，增强了ESD防护能力．
关键词：静电放电；SCR；LDMOS；高压ESD防护；功率集成电路
目录
摘要
ABSTRACT
第1章 绪论-1
1.1 ESD的产生和影响-1
1.2 功率集成电路中的ESD的研究现状-1
1.3 功率集成电路中高压ESD的问题和影响-2
1.4 本文的内容安排-3
第2章 静电放电模型、测试方法和失效判断-5
2.1 静电放电模型-5
2.1.1 人体放电模型（Human-Body Model，HBM）-5
2.1.2 机器放电模型（Machine Model，MM）-7
2.1.3 组件充电模型（Charged-Device Model，CDM）-8
2.1.4 电场感应模型（Field—Induced Model，FIM）-10
2.2 静电放电（ESD）测试方法-10
2.2.1 HBM和MM模型测试-10
2.2.2 CDM模型测试-12
2.3 ESD失效判断方法-13
第3章 基本的ESD保护器件-15
3.1 电阻-15
3.2 二极管-16
3.3 MOS和BJT-17
3.4 SCR器件-18
第4章 高压ESD器件的Sentaurus TCAD仿真与分析-21
4.1 Sentaurus TCAD软件介绍和功能-21
4.2 LDMOS的仿真和分析-21
4.3 SCR器件的仿真和分析-24
第5章 结论与展望-29
5.1 结论-29
5.2 展望-29
参考文献-31
致 谢-33
